2SB772P

電晶體類型：PNP

 

　　電流 - 集電極 (Ic)（最大）：3A

 

　　電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： 30V

 

　　Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）： 1.1V @ 150mA, 3A

 

　　電流 - 集電極截止（最大）： 100μA

 

　　在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ：100 @ 100mA, 2V

 

　　功率 - 最大 ：12.5W

 

　　頻率 - 轉換 ：100MHz

 

　　安裝類型 ：通孔

 

　　產品寬度：2.7mm 產品長度：7.8mm

 

　　產品高度：10.8mm

 

　　引腳數目：3

 

　　最大 發射極基極電壓：5V

 

　　最大工作溫度：150°C名片設計推薦