IXDH35N60B, 電晶體, IGBT

Parameter

IXDH35N60B

VCES, (V)  

600  

IC25, TC=25°C, IGBT, (A)  

60  

IC90, TC=90°C, IGBT, (A)  

35  

IC110, TC=110°C, IGBT, (A)  

VCE(sat), max, TJ=25°C, IGBT, (V)  

2.7  

tfi, typ, IGBT, (ns)  

70  

Eoff, typ, TJ=125°C, IGBT, (mJ)  

0.80  

RthJC, max, IGBT, (K/W)  

0.50  

IF, TC=90°C, Diode, (A)  

-  

RthJC, max, Diode, (K/W)  

-  

Package Style  

TO-247