IXGR35N120B, 電晶體, IGBT

Parameter

IXGR35N120B

V_{CES, (V)}  

1200  

I_{C25, TC=25°C, IGBT, (A)}  

70  

I_{C90, TC=90°C, IGBT, (A)}  

-  

I_{C100, TC=100°C, IGBT, (A)}  

I_{C110, TC=110°C, IGBT, (A)}  

23  

V_{CE(sat), max, TJ=25°C, IGBT, (V)}  

3.3  

t_{fi, typ, TJ=25°C, IGBT, (ns)}   

160  

E_{off, typ, TJ=125°C, IGBT, (mJ)}  

8  

R_{thJC, max, IGBT, (ºC/W)}  

0.5  

IF, TJ=110°C, Diode, (A)  

-  

RthJC, max, Diode, (ºC/W)  

-  

Package Style  

ISOPLUS247™