IC grade silicon wafer

SIZE：300mm

TYPE：P012

DOPANT：BORON

ORIENTATION：100

FLAT / NOTCH：Notch

EDGE TYPE：F-TYPE-2step

LASER MARKING：HARD MARKING

EDGE POLISHING：100% conduct

THICKNESS TYPE：STANDARD

BSD：NONE

GRADE：Normal 1

ETCHING：Caustic+Slight(12"Etching Process)

EPI：Do not conduct

HEAT TREATMENT：Do not conduct

PRODUCT TYPE：DOUBLE-POLISHED WAFER(12")

BACKSEAL：Do not conduct

POLY BACK：Do not conduct

THICKNESS UNIT：μm

THICKNESS MIN：745

THICKNESS MAX：805

RES UNIT：Ω-㎝

RES MIN：1

RES MAX：35

NOTCH ORI：+0+1+1

NOTCH TOLERANCE：1.0

SLICE OFF ANGLE DEG：0.0

SLICE OFF ANGLE TOLERANCE：0.4

SLICE OFF ANGLE DIRECTION：+1+1+0

WARP MAX：42.75

BOW MAX：42.75

TTV MAX：4.27

STIR1 METHOD：SFQR

STIR1 SITE MAX：0.05

STIR1 TOTAL SIZE：336

STIR1 SITE SIZE：26X8

STIR1 SITE PUA：100

STIR1 REF PLANE：Site Best Fit

STIR1 PARTIAL：Active

Shipping Box：3S : FIMS FOSB 12" - GSW 300 (V2)

Particle：>0.065(50ea)

我們可提供4吋、6吋、8吋、12吋，歡迎洽詢。

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